发明名称 IMPURITY-DIFFUSING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要 (A) 일반식 (1)로 표시되는 폴리실록산과, (B) 불순물 확산 성분을 함유하는 불순물 확산 조성물.(식 중, R은 탄소수 6 내지 15의 아릴기를 나타내고, 복수의 R은 각각 동일할 수도 상이할 수도 있다. R는 수산기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 아실기, 탄소수 6 내지 15의 아릴기 중 어느 하나를 나타내고, 복수의 R는 각각 동일할 수도 상이할 수도 있다. R및 R는 수산기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 아실기 중 어느 하나를 나타내고, 복수의 R및 R는 각각 동일할 수도 상이할 수도 있다. n:m=95:5 내지 25:75이다.) 반도체 기판에의 우수한 인쇄성, 불순물 확산성을 갖고, 또한 소성, 확산 공정에서 균열이 발생하기 어렵고, 소성 후에 다른 불순물 확산제에 대하여 충분한 마스크성을 갖는 소성 막이 되는 불순물 확산 조성물을 제공한다.
申请公布号 KR20160030513(A) 申请公布日期 2016.03.18
申请号 KR20167000836 申请日期 2014.06.30
申请人 TORAY INDUSTRIES, INC. 发明人 INABA SACHIO;MURASE SEIICHIRO;SHIMIZU HIROJI;DAN KOUICHI;SUWA MITSUHITO
分类号 H01L21/22;C08K3/38;C08K5/49;C08K5/55;C08L83/04;H01L21/225;H01L31/068 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
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