发明名称 Semiconductor memory device
摘要 정확한 클램프 전압을 생성하는 클램프 전압 생성 회로를 제공한다. 본 발명의 클램프 전압 생성 회로(200)는, 드레인이 VDD 전원에 결합되고, 소스가 노드(N5)에 결합되며, 클램프 전압이 게이트에 결합된 에뮬레이트용 트랜지스터(220)와, 노드(N5)와 접지 전위의 사이에 접속되고, 노드(N5)로부터 접지 전위로 흐르는 전류를 설정하는 전류 설정 회로(230)와, 노드(N5)로부터 피드백된 전압과 기준 전압(VREF)을 입력하고 VCLMP 전압을 출력하는 레귤레이터(210)를 가진다. 전류 설정 회로(230)는 비트선(BL)의 전류를 복제 가능하고, 전하 전송 트랜지스터(TG)에 에뮬레이트용 트랜지스터(220)를 근사시킬 수 있다.
申请公布号 KR101604865(B1) 申请公布日期 2016.03.18
申请号 KR20140056395 申请日期 2014.05.12
申请人 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 发明人 무라카미 히로키;아라카와 켄이치
分类号 G11C16/06;G11C16/30 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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