| 摘要 |
본 발명은 기판 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 폴리실리콘의 상부에 층간 절연층과 희생층이 교대로 적층 되고, 상기 층간 절연층과 상기 희생층에 홀이 형성된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판에 플라즈마 상태로 여기 된 제 1 공정 가스를 공급하여, 상기 홀의 측면 및 저면과 상기 기판의 상면에 보호층을 형성하는 단계; 상기 기판에 플라즈마 상태로 여기 된 제 2 공정 가스를 공급하여, 상기 홀의 측면에 형성된 상기 보호층을 제거하는 단계; 상기 기판에 플라즈마 상태로 여기 된 제 3 공정 가스를 공급하여, 상기 홀의 측면으로 노출된 상기 희생층을 제거하는 단계; 및 상기 기판에 플라즈마 상태로 여기 된 제 4 공정 가스를 공급하여, 상기 기판의 상면 및 상기 홀의 저면에서 상기 보호층을 제거하는 단계를 포함한다. |
