Herstellung einer defektfreien finnenbasierten Vorrichtung in einem lateralen Epitaxieüberwachsungsgebiet

摘要

Elektronische Vorrichtungsfinnen können durch epitaxiales Aufwachsenlassen einer ersten Materialschicht auf einer Substratoberfläche an einem Boden eines Grabens, der zwischen Seitenwänden flacher Grabenisolations(STI)-Gebiete gebildet ist, gebildet werden. Die Höhe des Grabens kann wenigstens das 1,5-Fache seiner Breite sein, und die erste Schicht kann weniger als die Grabenhöhe füllen. Dann kann eine zweite Materialschicht auf der ersten Schicht im Graben und über oberen Flächen der STI-Gebiete epitaxial aufwachsen gelassen werden. Die zweite Schicht kann eine zweite Breite aufweisen, die sich über dem Graben und über Abschnitten oberer Flächen der STI-Gebiete erstreckt. Die zweite Schicht kann dann strukturiert und geätzt werden, um ein Paar elektronischer Vorrichtungsfinnen über Abschnitten der oberen Flächen der STI-Gebiete in der Nähe des Grabens zu bilden. Dieser Prozess kann Kristalldefekte in den Finnen infolge einer Gitterfehlanpassung in den Schichtgrenzflächen vermeiden.