Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips

摘要

Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Trägersubstrat (1), und C) Ablösen der fertig hergestellten Halbleiterschichtenfolge (2) von dem Trägersubstrat (1) mittels Laserstrahlung (R) mit einer Wellenlänge (L) durch das Trägersubstrat (1) hindurch, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Pufferschichtenstapel (20) und einen Funktionsstapel mit einer aktiven Schicht (21) zur Erzeugung von Licht (22) aufweist, – die Absorberschicht (23) innerhalb des Pufferschichtenstapels (20) aus einem Material zur Absorption der Laserstrahlung (R) gewachsen wird und alle verbleibenden Schichten (24, 25) des Pufferschichtenstapels (20) für die Laserstrahlung (R) durchlässig sind, – bevorzugt ein Material des Funktionsstapels (23) für die Laserstrahlung (R) absorbierend wirkt, und – im Schritt C) ein Ablösen der Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der Absorberschicht (23) erfolgt