| 摘要 |
Hierin ist ein SiC-Ingot-Schneidverfahren offenbart, das beinhaltet: einen anfänglichen Trennschichtausbildungsschritt zum Scannen eines Brennpunkts eines Laserstrahls parallel zu einer Endfläche des SiC-Ingots entlang einer vorgesehenen Trennebene und Ausbilden einer Trennschicht an einer Position mit einem Abstand von der Endfläche; einen Wiederholungsschritt, um nach dem anfänglichen Trennschichtausbildungsschritt den Brennpunkt aufeinanderfolgend um den Abstand, der gleich groß wie die Dicke einer SiC-Platte ist, von der Trennschicht in Richtung auf die Endfläche zu bewegen, den Brennpunkt parallel zu der Endfläche zu scannen, die Ausbildung der Trennschicht zu wiederholen und die mehreren Trennschichten auszubilden; und einen Trennschritt zum Ausüben einer äußeren Kraft auf die durch den Wiederholungsschritt ausgebildeten mehreren Trennschichten, Ablösen der SiC-Platten ausgehend von den Trennschichten und Erhalten der mehreren SiC-Platten. |
