发明名称 用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列的制造方法
摘要 本发明涉及一种用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列及其制造方法,该光纤阵列包括盖片、刻槽基片和光纤微带,光纤微带包括除去了光纤图层的裸露光纤微带部分,刻槽基片上形成有用于放置裸露光纤微带部分的V形刻槽,盖片压在裸露光纤微带部分槽上,刻槽基片、盖片和裸露光纤微带部分通过粘合剂连接固定,盖片的长度小于V形刻槽的长度,裸露光纤微带部分的端面为倾斜角为45度的光学平面,且光学平面朝向刻槽基片。该光纤阵列通过厚度可定制的盖片来控制裸露光纤微带部分的45°光学平面与VCSEL阵列或者PIN阵列的耦合距离,实现高效率的耦合。制造该光纤阵列方法简单,易于实现,且成本低廉。
申请公布号 CN103383482B 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201310306602.5 申请日期 2013.07.19
申请人 武汉博昇光电股份有限公司 发明人 江永胜;阮景;罗志祥;朱志实
分类号 G02B6/42(2006.01)I 主分类号 G02B6/42(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,提供一光纤微带和一刻槽基片,将光纤微带的一端的涂覆层剥离,并洗净、切割,以成为洁净的裸露光纤微带部分,光纤微带的另一端为光纤微带图层部分,所述刻槽基片上形成有用于放置所述裸露光纤微带部分的V形刻槽,裸露光纤微带部分的长度大于V形刻槽的长度;步骤二,将切割后的裸露光纤微带部分排入所述刻槽基片的V形刻槽中,且裸露光纤微带部分从所述V形刻槽的前端伸出,该V形刻槽的前端为V形刻槽与所述光纤微带图层部分相对的一端;步骤三,将一盖片压在裸露光纤微带部分上,该盖片的长度小于所述V形刻槽的长度,且所述盖片的一端与V形刻槽朝向所述光纤微带图层部分的一端对齐,将裸露光纤微带部分、刻槽基片和盖片连接固定;步骤四,将石蜡滴注在V形刻槽和位于所述盖片前端的裸露光纤微带部分上,使位于所述盖片前端的裸露光纤微带部分和刻槽基片形成一个整体,该盖片的前端为所述盖片与所述光纤微带图层部分相对的一端;步骤五,对石蜡融合的整体端面进行研磨,使得石蜡、裸露光纤微带部分和/或刻槽基片的端部共同形成倾角为45°的斜面,且该斜面朝向所述刻槽基片所在的方位;步骤六,将石蜡融化使之脱离所述裸露光纤微带部分和所述刻槽基片;步骤七,将所述裸露光纤微带部分上残留的石蜡清洗干净。
地址 430000 湖北省武汉市东湖高新开发区武大园二路航域科技园2期A1栋9层