增强晶圆识别码清晰度的方法

摘要

一种增强晶圆识别码清晰度的方法包括如下步骤：提供表面覆盖有第一钝化层的晶圆；在所述第一钝化层上形成铝膜；刻蚀所述铝膜，保留遮挡区的铝膜，所述遮挡区为与晶圆识别码的标记位置对应的区域。本发明的遮挡区的铝膜留在第一钝化层上，由于铝的不透明性，位于遮挡区下的半导体器件的图形不会与位于遮挡区上的晶圆识别码混在一起，从而，晶圆识别码的清晰度高。

主权项

一种增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，在半导体器件形成在晶圆的器件区域后，包括如下步骤：提供表面覆盖有第一钝化层的晶圆，所述晶圆包括器件区域和外围区域，器件区域用于形成半导体器件，外围区域是器件区域以外的区域；在所述第一钝化层上形成铝膜，在铝膜上与所述外围区域相应处定义一遮挡区，该遮挡区的位置至少与晶圆识别码标记的位置交叠，该遮挡区的面积至少等于晶圆识别码的标记位置的面积；刻蚀所述铝膜，以形成铝焊盘且保留遮挡区的铝膜，所述遮挡区为与晶圆识别码的标记位置对应的区域，刻蚀后，遮挡区的铝膜保留在第一钝化层上，其他区域的铝膜形成图案而作为与相应的半导体器件连接的铝焊盘；在所述铝膜上形成第二钝化层；在该第二钝化层上定义出与所述遮挡区相应的第二钝化层区域，该第二钝化层区域为后续工艺中标记晶圆识别码的标记位置；在第二钝化层上涂上光刻胶；对光刻胶进行曝光，在曝光时，对第二钝化层区域的光刻胶不曝光；光刻胶曝光后对光刻胶进行显影；刻蚀所述第二钝化层露出所述铝焊盘；留下第二钝化层区域后去除光刻胶；第二钝化层区域作为晶圆识别码的标记位置，在所述第二钝化层区域标记晶圆识别码。