发明名称 |
复合膜和使用该复合膜的半导体发光器件 |
摘要 |
本发明涉及一种复合膜和使用该复合膜的半导体发光器件,该复合膜包括处于层叠状态中的波长转换层和漫反射树脂层并且在半导体发光器件中使用,其中该波长转换层包含荧光体材料,该荧光体材料吸收部分或者全部的激发光并且被激发以发射在比该激发光的波长更长的波长范围中的可见光,在该波长转换层的一个表面上通过图案化而选择性地形成该漫反射树脂层,并且在该波长转换层的该一个表面上的、其中没有通过图案化形成该漫反射树脂层的区域是激发该波长转换层中的荧光体材料的该激发光的路径。 |
申请公布号 |
CN102299245B |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201110179711.6 |
申请日期 |
2011.06.22 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
伊藤久贵;中村年孝;藤井宏中 |
分类号 |
H01L33/50(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/50(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
孙志湧;安翔 |
主权项 |
一种复合膜,包括处于层叠状态中的波长转换层和漫反射树脂层并且在半导体发光器件中使用,其中所述波长转换层包含荧光体材料,所述荧光体材料吸收部分或者全部的激发光并且被激发以发射在比所述激发光的波长更长的波长范围中的可见光,在所述波长转换层的一个表面上通过图案化而选择性地形成所述漫反射树脂层,并且在所述波长转换层的所述一个表面上的、其中没有通过图案化形成所述漫反射树脂层的区域是激发所述波长转换层中的所述荧光体材料的所述激发光的路径。 |
地址 |
日本大阪 |