发明名称 一种低压差分信号发送器输出级驱动电路
摘要 本发明公开了一种低压差分信号发送器输出级驱动电路,该电路包括主开关管和次开关管两路开关管,其中主开关管结构是信号稳定时的电流通路;次级开关管是信号翻转时的电流主要通路。本发明通过采用主次两路开关管控制驱动电流的输出,次开关管在信号翻转过程中避免了由于没有顺畅的电流通路而造成的电流和电压剧烈震荡,从而改善共模电平的稳定度;并且可以在基本不增加功耗的前提下,减少输出信号的上升时间和下降时间;同时输出信号在电平翻转过程中的过冲现象得到改善。该电路具有结构简单,低功耗,高稳定性,高速度的优势,适用于低压差分信号传输的驱动电路。
申请公布号 CN103199850B 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201310114202.4 申请日期 2013.04.03
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 赵建中;蒋见花;黑勇;周玉梅
分类号 H03K19/0185(2006.01)I 主分类号 H03K19/0185(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种低压差分信号发送器输出级驱动电路,该电路包括第一至第四主开关管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4,第一及第二电流源M5、M6,第一及第二电流沉M7、M8,和负载电阻;其中,第一主开关管为PMOS晶体管Ma1,第二主开关管为PMOS晶体管Ma2,第三主开关管为NMOS晶体管Ma3,第四主开关管为NMOS晶体管Ma4,第一电流源为PMOS晶体管M5,第二电流源为PMOS晶体管M6,第一电流沉为NMOS晶体管M7,第二电流沉为NMOS晶体管M8,第一至第四主开关管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4构成主开关管桥式电路:PMOS晶体管Ma1的源极连接于PMOS晶体管Ma2的源极、PMOS晶体管M5及PMOS晶体管M6的漏极;PMOS晶体管M5及PMOS晶体管M6的源极连接于电源;PMOS晶体管Ma1的漏极连接于NMOS晶体管Ma3的漏极,并同时与负载电阻的一端相连接;PMOS晶体管Ma2的漏极连接于NMOS晶体管Ma4的漏极,并同时与负载电阻的另一端相连接;NMOS晶体管Ma3的源极连接NMOS晶体管Ma4的源极,同时连接于NMOS晶体管M7及NMOS晶体管M8的漏极;NMOS晶体管M7及NMOS晶体管M8的源极接地;其特征在于:该电路还包括由第一至第四次开关管Mb1、Mb2、Mb3、Mb4构成的次开关管桥式电路,该次开关管桥式电路与该主开关管桥式电路均连接在同一个电流源或电流沉处,且该次开关管桥式电路在电平转换的过程中开启,其他时间处于截止状态;第一次开关管为NMOS晶体管Mb1,第二次开关管为NMOS晶体管Mb2,第三次开关管为NMOS晶体管Mb3,第四次开关管为NMOS晶体管Mb4,NMOS晶体管Mb1的漏极与NMOS晶体管Mb2的漏极均连接于PMOS晶体管M5的漏极,NMOS晶体管Mb3的源极和NMOS晶体管Mb4的源极均连接于NMOS晶体管M7的漏极,NMOS晶体管Mb1的源极连接于NMOS晶体管Mb3的漏极,并同时连接PMOS晶体管Ma1的漏极,NMOS晶体管Mb2的源极连接于NMOS晶体管Mb4的漏极,并同时连接于PMOS晶体管Ma2的漏极;其中,所述PMOS晶体管M5和所述NMOS晶体管M7用于起反馈作用;所述PMOS晶体管M6是电流为定值的电流源,所述NMOS晶体管M8是电流为定值的电流沉。
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