晶体管及晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管及晶体管的形成方法。所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；以及，位于所述半导体衬底内、且位于所述栅极结构两侧的凹槽；位于所述栅极结构一侧凹槽内的源极；以及位于所述栅极结构另一侧凹槽内的漏极，所述凹槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述半导体衬底的上表面连接，所述第二部分与所述第一部分贯通连接并延伸至所述栅极结构的下方。所述源极和所述漏极既靠近沟道区，又具有更大的体积，当所述源极和所述漏极由掺杂的应力层充当时，能够对沟道区产生更加明显的应力作用，进一步地提高载流子的迁移率。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅电极和位于所述栅电极两侧的侧墙；在所述半导体衬底及所述栅极结构上形成具有开口的第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，沿开口干法刻蚀去除部分半导体衬底，在栅极结构两侧形成第一沟槽，所述第一沟槽的高度范围是2～40nm；形成覆盖所述第一沟槽侧壁的第二掩膜层；沿第一沟槽干法刻蚀半导体衬底，形成第二沟槽；以所述第二掩膜层为掩膜，湿法刻蚀第二沟槽的底面及侧壁，使所述第二沟槽向所述栅极结构下方延伸并向所述半导体衬底下表面延伸，所述延伸后的第二沟槽延伸至所述栅极结构的下方，并具有向所述栅极结构下方的半导体衬底突出的尖角，所述第一沟槽与延伸后的第二沟槽作为凹槽；去除所述第二掩膜层；以及在所述凹槽中形成掺杂的应力层，位于所述栅极结构一侧凹槽内的掺杂的应力层作为源极，位于另一侧凹槽内的掺杂的应力层作为漏极。