发明名称 |
一种二极管芯片熔焊方法 |
摘要 |
一种二极管芯片熔焊方法,包含两个内电极、二极管芯片、配重以及用于装配用的装配模具,将具有金属化结构的硅基二极管芯片和两个内电极叠放在一起,高温条件下采用无钎料的熔焊技术将硅基二极管芯片与双内电极永久焊接,形成牢固的整体结构。本发明将两个内电极与芯片上下两个表面直接接触,实现双插头结构,然后采取熔焊技术,在接触界面产生低于各自单质金属熔点的银硅共晶体,形成冶金键,实现一字结构,本发明的焊接温度较高,为后续工艺提供了很宽泛的工艺操作窗口,降低了考核和使用时环境温度等对焊接结构的影响。起连接作用的共晶体稳定性强,在固相下没有复杂的相变,也提高了器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN105405772A |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201510703413.0 |
申请日期 |
2015.10.26 |
申请人 |
北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
发明人 |
吴鹏;赵元富;姚全斌;木瑞强;练滨浩;刘晓敏;王娟 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
中国航天科技专利中心 11009 |
代理人 |
范晓毅 |
主权项 |
一种二极管芯片熔焊方法,其特征在于包括如下步骤:步骤(一)、将金属棒加工成为金属柱;步骤(二)、对加工后的金属柱进行表面预处理;步骤(三)、对表面预处理后的金属柱进行球磨处理;步骤(四)、对球磨处理后的金属柱进行金属化结构生长,金属化结构生长顺序依次为镍层、银层,形成内电极;步骤(五)、对硅基二极管芯片进行金属化结构生长,金属化结构生长顺序为钛层、镍层、银层;步骤(六)、将金属化结构生长后的硅基二极管芯与两个内电极进行组装,将硅基二极管芯片放至于两个内电极之间,形成组装体,在位于上侧的内电极表面施加配重,将组装体装入外部模具放入高温炉中;步骤(七)、首先升温,并保持一段时间后降温,完成焊接。 |
地址 |
100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号 |