半导体装置

摘要

明公开了一种提高半导体装置可靠性之方法。在一个半导体晶片CPH内形成有开关用功率MOSFET、及用于侦测流经前述功率MOSFET之电流且面积比前述功率MOSFET小之感应MOSFET，而且，前述半导体晶片CPH经由导电性接合材料搭载于晶片搭载部上，且被树脂密封。其中，在半导体晶片CPH之主表面上，形成有感应MOSFET之感应MOSFET区域RG2位于感应MOSFET之源极用焊垫PDHS4之内侧。而且，在半导体晶片CPH之主表面上，感应MOSFET区域RG2由形成有功率MOSFET之区域所包围。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：第1晶片搭载部，其具有导电性；第1半导体晶片，其具有第1主表面及与前述第1主表面为相反侧之第1背面，且前述第1背面经由导电性接合材料而与前述第1晶片搭载部接合；及密封部，其将前述第1半导体晶片及前述第1晶片搭载部之至少一部分进行密封；其中于前述第1半导体晶片形成有汲极彼此电性连接且闸极彼此电性连接之第一MOSFET及第二MOSFET；前述第一MOSFET形成于前述第1半导体晶片之前述第1主表面之第1区域；前述第二MOSFET形成于前述第1半导体晶片之前述第1主表面之第2区域，系用于检测流至前述第一MOSFET之电流之元件；与前述第一及第二MOSFET之闸极电性连接之第1闸极焊垫、与前述第一MOSFET之源极电性连接之第1源极焊垫及第3源极焊垫、及与前述第二MOSFET之源极电性连接之第2源极焊垫系形成于前述第1半导体晶片之前述第1主表面；与前述第一及第二MOSFET之汲极电性连接之汲极电极形成于前述第1半导体晶片之前述第1背面；在前述第1半导体晶片之前述第1主表面，前述第2区域之面积比前述第1区域小，且前述第2区域配置于较前述第2源极焊垫内侧，且前述第2区域配置于较前述第1闸极焊垫内侧；在前述第1半导体晶片之前述第1主表面，于俯视时前述第2区
域被前述第1区域所包围；形成于前述第2区域之前述第二MOSFET的源极区域及前述第2源极焊垫系经由形成于前述第1半导体晶片之源极用配线而电性连接；前述第一及第二MOSFET之闸极与前述第1闸极焊垫电性连接之闸极用配线系与前述源极用配线同层，且俯视时于前述第1源极焊垫与前述第3源极焊垫之间延伸；前述源极用配线系在俯视时于前述第1源极焊垫与前述第3源极焊垫之间以沿着前述闸极用配线之方式延伸；进一步包含第1导体部，其藉由前述密封部被密封至少一部份；前述第1及第3源极焊垫与前述第1导体部系经由第1导体板电性连接；在前述第1半导体晶片之主表面，俯视时前述第2区域重叠于前述第1导体板，前述第2源极焊垫未重叠于前述第1导体板。