| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 半导体元件。半导体元件包括基底、多数个堆叠结构以及多数个支撑层。堆叠结构位于基底上，相邻两个堆叠结构之间具有沟渠。每一堆叠结构包括多数个导体层以及多数个介电层。介电层与导体层相互交替。支撑层分别位于堆叠结构之中。 | ||
| 申请公布号 | TW201611224 | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | TW103130930 | 申请日期 | 2014.09.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 杨儒兴;龙成一 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;叶璟宗 | |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括： 一基底； 多数个堆叠结构，位于该基底上，相邻两个堆叠结构之间具有一沟渠，其中每一堆叠结构包括： 多数个导体层；以及 多数个介电层，与该些导体层相互交替；以及 多数个支撑层，分别位于该些堆叠结构之中。 | ||
| 地址 | 新竹市东区新竹科学工业园区力行路16号 | ||