发明名称 |
氧化铟奈米柱及其制造方法 |
摘要 |
氧化铟奈米柱的制造方法,其包括以下步骤:提供高温炉,其中高温炉分为第一区以及第二区;将至少一铟金属源放置于第一区,且将基板放置于第二区;将第一区的温度调变至第一温度,且将第二区的温度调变至第二温度,其中第一温度高于第二温度;以及当第一区的温度达到第一温度,且第二区的温度达到第二温度时,于高温炉中通入氩气以及氧气,其中氩气与氧气比落在30:1至70:1的范围内,以令多个氧化铟奈米柱形成于基板上。另提供一种氧化铟奈米柱。
|
申请公布号 |
TW201609551 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
TW103131775 |
申请日期 |
2014.09.15 |
申请人 |
许国明 |
发明人 |
许国明 |
分类号 |
C01G15/00(2006.01);B82Y30/00(2011.01);B82B3/00(2006.01);B82Y40/00(2011.01) |
主分类号 |
C01G15/00(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
叶璟宗;詹东颖;刘亚君 |
主权项 |
一种氧化铟奈米柱的制造方法,包括:提供一高温炉,该高温炉分为一第一区以及一第二区;将至少一铟金属源放置于该第一区,且将一基板放置于该第二区;将该第一区的温度调变至一第一温度,且将该第二区的温度调变至一第二温度,其中该第一温度高于该第二温度;以及当该第一区的温度达到该第一温度,且该第二区的温度达到该第二温度时,于该高温炉中通入氩气以及氧气,其中氩气与氧气比落在30:1至70:1的范围内,以令多个氧化铟奈米柱形成于该基板上。
|
地址 |
宜兰县头城镇青云路3段359号 |