发明名称 氧化铟奈米柱及其制造方法
摘要 氧化铟奈米柱的制造方法,其包括以下步骤:提供高温炉,其中高温炉分为第一区以及第二区;将至少一铟金属源放置于第一区,且将基板放置于第二区;将第一区的温度调变至第一温度,且将第二区的温度调变至第二温度,其中第一温度高于第二温度;以及当第一区的温度达到第一温度,且第二区的温度达到第二温度时,于高温炉中通入氩气以及氧气,其中氩气与氧气比落在30:1至70:1的范围内,以令多个氧化铟奈米柱形成于基板上。另提供一种氧化铟奈米柱。
申请公布号 TW201609551 申请公布日期 2016.03.16
申请号 TW103131775 申请日期 2014.09.15
申请人 许国明 发明人 许国明
分类号 C01G15/00(2006.01);B82Y30/00(2011.01);B82B3/00(2006.01);B82Y40/00(2011.01) 主分类号 C01G15/00(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗;詹东颖;刘亚君
主权项 一种氧化铟奈米柱的制造方法,包括:提供一高温炉,该高温炉分为一第一区以及一第二区;将至少一铟金属源放置于该第一区,且将一基板放置于该第二区;将该第一区的温度调变至一第一温度,且将该第二区的温度调变至一第二温度,其中该第一温度高于该第二温度;以及当该第一区的温度达到该第一温度,且该第二区的温度达到该第二温度时,于该高温炉中通入氩气以及氧气,其中氩气与氧气比落在30:1至70:1的范围内,以令多个氧化铟奈米柱形成于该基板上。
地址 宜兰县头城镇青云路3段359号