半导体封装结构的形成方法

摘要

一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和部分焊垫层表面的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层表面的第一开口；在第一开口的侧壁和底部以及钝化层上形成凸下金属层；形成覆盖所述凸下金属层的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露第一开口上的部分凸下金属层的第二开口；在第二开口中形成金属柱；去除所述第一掩膜层；在金属柱的底部侧壁和部分凸下金属层表面上形成底层金属层；去除所述第二掩膜层；以金属柱和底层金属层为掩膜，刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层。本发明的方法防止金属柱下的凸下金属层产生底切缺陷。

主权项

一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和部分焊垫层表面的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层表面的第一开口；在第一开口的侧壁和底部以及钝化层上形成凸下金属层；形成覆盖所述凸下金属层的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露第一开口上的部分凸下金属层的第二开口；在第二开口中形成金属柱；去除所述第一掩膜层；在金属柱的底部侧壁和部分凸下金属层表面上形成底层金属层,所述底层金属层的形成过程为：在所述金属柱的底部侧壁和部分凸下金属层的表面上形成牺牲层；形成覆盖所述金属柱、凸下金属层、和牺牲层的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层远离金属柱一端表面的第三开口；沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通，并暴露出金属柱的底部侧壁和凸下金属层的表面；在暴露的金属柱的底部侧壁和部分凸下金属层表面上形成底层金属层；去除所述第二掩膜层；以金属柱和底层金属层为掩膜，刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层。