| 主权项 |
一种半导体装置，包括：模拟开关，包括P沟道晶体管和N沟道晶体管，所述P沟道晶体管和所述N沟道晶体管并联连接在输入端子与输出端子之间；可变电压电路，被配置为根据提供给所述输入端子的输入电压可变地产生所述P沟道晶体管的第一栅极电压和第一背栅极电压以及所述N沟道晶体管的第二栅极电压和第二背栅极电压的电势；其中，所述P沟道晶体管具有第一栅极耐受电压，所述N沟道晶体管具有第二栅极耐受电压，所述输入电压具有的电势在从最小电压到最大电压的范围内，对于所述P沟道晶体管，当所述输入电压处于等于或大于所述最小电压的电压以及等于或小于第一电压的电压的第一电压范围内，其中所述第一电压比所述最小电压高第三电压时，所述可变电压电路将所述第一背栅极电压设定为比所述最小电压高第四电压的电压，当所述输入电压处于等于或大于所述第一电压的电压以及等于或小于所述最大电压的电压的第二电压范围内时，所述可变电压电路将所述第一背栅极电压设定为等于或大于所述输入电压的电压，并且当所述输入电压处于所述第一电压范围或所述第二电压范围时，所述可变电压电路将所述第一栅极电压设定为比所述第一背栅极电压低所述第四电压的电压；对于所述N沟道晶体管，当所述输入电压处于等于或小于所述最大电压的电压以及等于或大于第二电压的电压的第三电压范围内，其中所述第二电压比所述最大电压小第五电压时，所述可变电压电路将所述第二背栅极电压设定为比所述最大电压低第六电压的电压，当所述输入电压处于等于或小于所述第二电压的电压以及等于或大于所述最小电压的电压的第四电压范围内时，所述可变电压电路将所述第二背栅极电压设定为等于或小于所述输入电压的电压，并且当所述输入电压处于所述第三电压范围或所述第四电压范围时，所述可变电压电路将所述第二栅极电压设定为比所述第二背栅极电压高所述第六电压的电压；以及其中，所述第三电压和所述第四电压等于或小于所述第一栅极耐受电压，所述第五电压和所述第六电压等于或小于所述第二栅极耐受电压。 |
