| 发明名称 | 一种自支撑PEDOT-PSS薄膜及其制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种自支撑PEDOT-PSS薄膜，包括质量比为3:7～15:2的PEDOT以及PSS，所述PEDOT-PSS薄膜的厚度为1μm～50μm，方块电阻为0.10Ω/sq～120Ω/sq，电导率为210S/cm～1827S/cm。本发明还公开了该PEDOT-PSS薄膜的制备方法以及在光电子器件的电极中的应用。本发明制备所得的PEDOT-PSS薄膜具有良好的自支撑性能以及导电性能，在光电子器件上具有广泛的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN105405977A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510715701.8 | 申请日期 | 2015.10.29 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 周印华;李在房;葛茹;覃飞;刘铁峰 |
| 分类号 | H01L51/44(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01G11/48(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I | 主分类号 | H01L51/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 朱仁玲 |
| 主权项 | 一种自支撑PEDOT‑PSS薄膜，其特征在于，包括质量比为3:7～15:2的PEDOT以及PSS，所述PEDOT‑PSS薄膜的厚度为1μm～50μm，方块电阻为0.10Ω/sq～120Ω/sq，电导率为210S/cm～1827S/cm。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||