| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，所述半导体装置具有固态摄像元件，所述固态摄像元件具备复数个包含第1光二极体及第2光二极体之像素，其特征在于具有：制程(a)，即准备基板之制程，所述基板之上表面上具有相互邻接之第1区域及第2区域；制程(b)，即在所述基板上形成光阻膜之制程；制程(c)，即对所述第1区域之所述光阻膜进行曝光之制程；制程(d)，即对所述第2区域之所述光阻膜进行曝光之制程；制程(e)，即在所述制程(c)及所述制程(d)之后，通过对所述光阻膜进行显像，以对所述光阻膜进行图案化之制程；制程(f)，即使用在所述制程(e)中进行图案化后之所述光阻膜，在所述基板上形成元件隔离结构之制程，所述元件隔离结构系在所述基板上划分出所述像素内之活性区域；以及制程(g)，即在所述制程(f)之后，通过将杂质导入所述活性区域内之所述基板之上表面，在所述第1区域中形成所述第1光二极体，且在所述第2区域中形成所述第2光二极体之制程；所述第1光二极体和所述第2光二极体夹着所述第1
区域和所述第2区域之间之边界而彼此隔离。
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