半导体装置和形成半导体装置的方法

摘要

一示范性实施例，提供一种形成垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供一基板；在该基板上形成一第一氧化层；在该第一氧化层上形成一第一虚拟层；蚀刻该第一氧化层与该第一虚拟层以形成一凹槽；在该凹槽上形成一第二虚拟层；在该第二虚拟层上进行化学机械研磨，并在该第一虚拟层停止；移除该第一虚拟层；移除该第一氧化层；以及蚀刻该基板以形成该垂直结构。根据一示范性实施例，提供一种半导体装置。该半导体装置包括：一基板、一浅沟槽隔离内嵌于该基板、以及一垂直电晶体，具有一源极，该源极本质上与浅沟槽隔离相对齐。

主权项

一种形成垂直结构的方法，包括：提供一基板；形成一第一氧化层位于该基板上；形成一浅沟槽隔离以将该基板分割为一第一区域与一第二区域；形成一第一虚拟层位于该第一氧化层与该浅沟槽隔离上；蚀刻该第一氧化层与该第一虚拟层以形成一第一凹槽于该第一区域与一第二凹槽于该第二区域；形成一第二虚拟层位于该第一凹槽与该第二凹槽；移除该第一虚拟层；移除该第一氧化层；蚀刻该浅沟槽隔离的一部分；蚀刻该基板以使该基板与该浅沟槽隔离的一顶部对齐，以及使形成一第一垂直结构于该第一区域和一第二垂直结构于该第二区域。