发明名称 |
非挥发性记忆体装置进行耗损管理之方法 |
摘要 |
明揭露了一种包含有复数个储存单元之非挥发性记忆体装置进行耗损管理方法。其中先自特定储存单元中获取第一错误位元数,之后再次自同一特定储存单元中获取第二错误位元数,再者判断第一错误位元数与第二次错误位元数之差值是否超过预定数值,若差值不超过预定数值,则将提早退休门槛值设定为第一数值,或若差值超过预定数值,则将提早退休门槛值设定为第二数值,其中第二数值小于第一数值,而若当第一错误位元数超过提早退休门槛值时,将特定储存单元标记为损坏储存单元,并不再做为存取数据使用。
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申请公布号 |
TW201611018 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
TW104126643 |
申请日期 |
2015.08.14 |
申请人 |
创见资讯股份有限公司 |
发明人 |
李增河;陈永儒 |
分类号 |
G11C29/04(2006.01);G11C29/44(2006.01) |
主分类号 |
G11C29/04(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种非挥发性记忆体装置进行耗损管理方法,该非挥发性记体装置包含有复数个储存单元,该方法包含下列步骤:于一第一次存取期间,自一特定储存单元中获取该特定储存单元所产生之与错误位元数有关之一第一错误计数;于一第二次存取期间,自该特定储存单元中取回该特定储存单元所产生之与错误位元数有关之一第二错误计数,其中该第二次存取之时间系早于该第一次存取;判断该第一错误计数与该第二次错误计数之差值是否超过一预定数值;若该第一错误计数与该第二次错误计数之差值不超过该预定数值,则将一提早退休门槛值设定为一第一数值,或若该第一错误计数与该第二次错误计数之差值超过该预定数值,则将该提早退休门槛值设定为一第二数值,其中该第二数值小于该第一数值;当该第一错误计数超过该提早退休门槛值时,将该特定储存单元标记为一损坏储存单元,并不再做为存取数据使用。
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地址 |
台北市内湖区行忠路70号 |