半导体记忆装置及记忆体系统

摘要

形态之半导体记忆装置包括第1、第2记忆胞、字元线、及第1、第2位元线。第1、第2位元线分别电性连接于第1、第2记忆胞之一端。于重试读取时，对字元线施加读出电压，对第1位元线施加第1电压，对第2位元线施加第2电压，第2电压与第1电压不同。

主权项

一种半导体记忆装置，其特征在于包括：第1记忆胞；第2记忆胞，其设于上述第1记忆胞之上方；字元线，其电性连接于上述第1记忆胞及上述第2记忆胞之闸极；第1位元线，其电性连接于上述第1记忆胞之一端；及第2位元线，其电性连接于上述第2记忆胞之一端；且于资料之读出时，对上述字元线施加第1读出电压；于重试读取时，对上述字元线施加第2读出电压，对上述第1位元线施加第1电压，对上述第2位元线施加第2电压；上述第2电压与上述第1电压不同。