电阻式随机存取记忆体装置以及其方法

摘要

电阻式随机存取记忆体(Resistive Random Access Memory，下称RRAM)装置，包括复数个位元格、复数条字线、复数条位元线、以及复数条源极线。每个位元格包括一电晶体以及电阻性元件，其中，对每个位元格来说，上述电晶体包括一闸极、一源极和一汲极，以及上述电阻性元件系耦接至上述电晶体之上述汲极。每条字线设置为互相平行，且耦接至上述电晶体之各自闸极。每条位元线设置为互相平行且与上述复数条字线相交，且藉由上述电阻性元件耦接至上述电晶体之各自汲极。上述复数条源极线设置为相互平行且与上述复数条位元线互相平行。

主权项

一种电阻式随机存取记忆体(Resistive Random Access Memory，下称RRAM)装置，包括：复数个位元格，每个位元格包括一电晶体以及一电阻性元件，其中，对上述每个位元格来说，上述电晶体包括一闸极、一源极和一汲极，而上述电阻性元件系耦接至上述电晶体之上述汲极；复数条字线，设置为互相平行，且耦接至上述电晶体之各自闸极；复数条位元线，设置为互相平行且与上述复数条字线相交，藉由上述电阻性元件耦接至上述电晶体之各自汲极；以及复数条源极线，设置为互相平行且与上述复数条位元线互相平行。