于半导体装置上形成取代闸极结构的方法

摘要

明公开一种在半导体装置上形成取代闸极结构的方法，其包括但不限于：围绕鳍片形成鳍片保护层；在该鳍片保护层的区块上方形成牺牲闸极电极；邻近该牺牲闸极电极形成至少一个侧壁间隔物；移除该牺牲闸极电极以定义闸极开口，该闸极开口暴露该鳍片保护层的部分；氧化该鳍片保护层的至少该暴露部分，从而形成该鳍片保护层的氧化部分；以及移除该鳍片保护层的该氧化部分，从而暴露该闸极开口内的该鳍片的表面。

主权项

一种方法，包括：在半导体基板中形成鳍片；围绕该鳍片形成鳍片保护层；在该鳍片保护层的区块上方形成牺牲闸极电极；邻近该牺牲闸极电极形成至少一个侧壁间隔物；移除该牺牲闸极电极，以定义闸极开口，该闸极开口暴露该鳍片保护层的部分；氧化该鳍片保护层的至少该暴露部分，从而形成该鳍片保护层的氧化部分；以及移除该鳍片保护层的该氧化部分，从而暴露该闸极开口内的该鳍片的表面。