| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明系一种半导体装置之制造方法，其系于具有第1面之半导体基板之上述第1面形成绝缘膜，并且于上述半导体基板之与上述第1面对向之第2面形成含有氧化矽、TEOS、BPSG、BSG、PSG、FSG、含碳氧化矽、氮化矽、含碳氮化矽及含氧碳化矽中之至少任1种之氢供给膜。
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| 申请公布号 |
TW201611194 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104113423 |
申请日期 |
2015.04.27 |
| 申请人 |
新力股份有限公司 |
发明人 |
钉宫克尚;村田显一;冈野仁志;森茂贵;川岛宽之;松野琢磨 |
| 分类号 |
H01L21/8242(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/108(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其系于具有第1面之半导体基板之上述第1面形成绝缘膜，并且于上述半导体基板之与上述第1面对向之第2面形成含有氧化矽、TEOS、BPSG、BSG、PSG、FSG、含碳氧化矽、氮化矽、含碳氮化矽及含氧碳化矽中之至少任1种之氢供给膜。
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| 地址 |
日本 |
