一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体结构，包括半导体衬底、高k介电层、浸润层和牺牲栅电极层；形成虚拟栅极结构；在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述虚拟栅极结构的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成栅沟槽；在所述栅沟槽中形成金属栅。其中，形成金属栅的步骤包括：形成TMAAB于所述栅沟槽中，所述TMAAB作为金属铝填充的前体；对所述金属铝前体进行退火处理。根据本发明，可以有效提高应用传统沉积工艺实现金属栅填充的能力，并且由于金属铝只能从所述栅沟槽的底部自下而上生长，基于此特点，应用本发明提出的方法可以在任何结构的栅沟槽中填充金属铝栅。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体结构，包括半导体衬底、高k介电层、浸润层和牺牲栅电极层，所述浸润层的材料是不含有氧化物或不含有含氮金属的材料；形成虚拟栅极结构；在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述虚拟栅极结构的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成栅沟槽；在所述栅沟槽中形成金属铝栅，形成所述金属铝栅的步骤包括：先形成TMAAB于所述栅沟槽的底部，所述TMAAB作为金属铝填充的前体，再对所述金属铝前体进行退火处理，使所述TMAAB中的铝分解出来从所述栅沟槽的底部自下而上生长。