| 发明名称 |
Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及其制造方法 |
| 摘要 |
明之Cu-Ga合金溅镀靶系含有Ga：0.1~40.0原子%，剩余部分系具有由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成的Cu-Ga合金溅镀靶，空孔率为3.0%以下，空孔之外接圆之平均直径为150μm以下，而且，Cu-Ga合金粒之平均结晶粒径为50μm以下。
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| 申请公布号 |
TW201610193 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104122043 |
申请日期 |
2015.07.07 |
| 申请人 |
三菱综合材料股份有限公司 |
发明人 |
梅本启太;张守斌 |
| 分类号 |
C22C9/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);C22C1/04(2006.01);B22F1/00(2006.01);B22F3/14(2006.01) |
主分类号 |
C22C9/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种Cu-Ga合金溅镀靶，其系含有Ga：0.1~40.0原子%，剩余部分为具有由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成的Cu-Ga合金溅镀靶，其特征为：空孔率为3.0%以下，空孔之外接圆之平均直径为150μm以下，而且，Cu-Ga合金粒之平均结晶粒径为50μm以下。
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| 地址 |
日本 |
