发明名称 |
用以降低形成于具有台阶高度之基材上的涂膜的高度差的化合物、涂膜组成物及形成具有低高度差的涂膜于具有台阶高度的基材上的方法 |
摘要 |
用以降低涂膜高度差的化合物,涂膜系形成于具有台阶高度的基材上,此化合物包括极性部分及含氟烷基部分。含氟烷基部分之一末端直接或间接连接极性部分之一末端。极性部分为
其中R1为C1-C3烷基,R2为氢、C1-C2烷基或-R3-OH,R3为C0-C10烷基或烯基、C1-C10酯基或C6-C12芳香族基,
m、n为10至30之整数。含氟烷基部分为
其中R4、R7为C0-C3烷基,R5为氢、C1-C2烷基或-R6-Rf,R6为C2-C4醚基、C2-C10烷基或烯基、C1-C10酯基、C6-C12芳香族基,Rf为无取代之C1-C6氟烷基、氢或氢氧基取代之C1-C6氟烷基,o、p为1至15之整数。
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申请公布号 |
TW201610010 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
TW103130432 |
申请日期 |
2014.09.03 |
申请人 |
柯伊珊 |
发明人 |
林瑜勋 |
分类号 |
C09D127/00(2006.01);C09D129/02(2006.01);C09D153/00(2006.01);C09D171/00(2006.01);B05D1/36(2006.01);B32B27/04(2006.01) |
主分类号 |
C09D127/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
一种用以降低形成于具有台阶高度之基材上的涂膜的高度差的化合物,该化合物包括:
极性部分,该极性部分为或,其中R1为C1-C3烷基,R2为氢、C1-C2烷基或-R3-OH,R3为C0-C10烷基或烯基、C1-C10酯基或C6-C12芳香族基,以及m、n为10至30之整数;以及含氟烷基部分,该含氟烷基部分之一末端直接或间接连接该极性部分之一末端,该含氟烷基部分为或,其中R4、R7为C0-C3烷基,R5为氢、C1-C2烷基或-R6-Rf,R6为C2-C4醚基、C2-C10烷基或烯基、C1-C10酯基或C6-C12芳香族基,Rf为无取代之C1-C6氟烷基、氢或氢氧基取代之C1-C6氟烷基,以及
o、p为1至15之整数。
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地址 |
新北市三重区福德南路37号10楼之 |