包含金属络合物的电子器件

摘要

本发明涉及包含通式(1)的金属络合物的电子器件，特别是有机电致发光器件，并且涉及优选的金属络合物。通式(1)。

主权项

电子器件，其包括阳极、阴极和至少一种通式(1)的化合物，所述的化合物包括与通式(2)的配体L配位的金属M，其中以下适用于使用的符号和标记：M选自Cu(I)或Ag(I)；V选自B、BR^–、CR、CO^–、SiR、N、NR⁺、P、PR⁺、P(＝O)、As、AsR⁺、As(＝O)、Sb、SbR⁺、Sb(＝O)和S⁺；或V是具有3至6个环原子的脂族、芳族或杂芳族环状基团，它们任选经由基团Y，使部分配体L1、L2和L3彼此共价键合，和它们可被一个或多个基团R取代；Y在每次出现时相同或者不同地是选自CR₂、BR、SiR₂、NR、PR、P(＝O)R、AsR、As(＝O)R、SbR、Sb(＝O)R、O、S、1,2‑亚乙烯基或1,2‑或1,3‑亚苯基的二价基团，它们每个可被一个或多个基团R取代；a是1；b是1；L1是具有1至20个C原子和至少一个N原子的杂环基团，它们可被一个或多个基团R取代，并经由中性的或阴离子型氮原子或经由中性的碳原子与M键合，所述氮原子或碳原子每个是所述杂环基团的一部分；或是具有1至20个C原子的环状的或杂环基团，它们经由环外的供电子原子与M键合，且它们可被一个或多个基团R取代；L2、L3在每次出现时相同或不同地是配位基团，它们可被一个或多个基团R取代，并经由氮、磷、硫或中性的碳原子与M键合，其中L2和/或L3也可以相同或不同地是L1；L4是任何希望的与金属M配位的配体，它们可被一个或多个基团R取代；此处L4也可以与所述部分配体L1、L2和/或L3中的一个或多个通过直接的键或通过二价基团‑(Y)_n‑连接；n在每次出现时相同或者不同地是0、1、2或3；R在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R¹)₂，CN，NO₂，OH，Si(R¹)₃，B(OR¹)₂，C(＝O)R¹，P(＝O)(R¹)₂，S(＝O)R¹，S(＝O)₂R¹，OSO₂R¹，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，它们每个可被一个或多个基团R¹取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可被R¹C＝CR¹、C≡C、Si(R¹)₂、Ge(R¹)₂、Sn(R¹)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR¹、P(＝O)(R¹)、SO、SO₂、NR¹、O、S或CONR¹代替，和其中一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可以被一个或多个基团R¹取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基、杂芳氧基、芳烷基或杂芳烷基基团，它们可被一个或多个基团R¹取代，或具有10至40个芳族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可被一个或多个基团R¹取代；此处两个或更多个取代基R也可以彼此形成单或多环的脂族、芳族、杂芳族和/或苯并稠合的环体系；R¹在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R²)₂，CN，NO₂，OH，Si(R²)₃，B(OR²)₂，C(＝O)R²，P(＝O)(R²)₂，S(＝O)R²，S(＝O)₂R²，OSO₂R²，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，它们每个可被一个或多个基团R²取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可被R²C＝CR²、C≡C、Si(R²)₂、Ge(R²)₂、Sn(R²)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR²、P(＝O)(R²)、SO、SO₂、NR²、O、S或CONR²代替，和其中一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或者具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可以被一个或多个基团R²取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基、杂芳氧基、芳烷基或杂芳烷基基团，它们可被一个或多个基团R²取代，或具有10至40个芳族环原子的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，它们可被一个或多个基团R²取代；此处两个或更多个取代基R¹也可以彼此形成单或多环的脂族、芳族、杂芳族和/或苯并稠合的环体系；R²在每次出现时相同或者不同地是H，D，F或者具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基团，其中另外，一个或多个H原子可被F代替；此处两个或更多个取代基R²也可以彼此形成单或多环的脂族、芳族、杂芳族和/或苯并稠合的环体系。