发明名称 |
用于从离子源部件清除残余物的方法和设备 |
摘要 |
在此所公开的技术有助于从分子束部件清除残余物。例如,在示例性方法中,沿着束路径提供分子束,使得残余物产生在分子束部件上。为了减少残余物,分子束部件被暴露到氢氟碳化物等离子。根据是否符合第一预定条件来结束至氢氟碳化物等离子的暴露,第一预定条件表示残余物的移除程度。其它方法和系统也同时被公开。 |
申请公布号 |
CN102612731B |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201080051134.6 |
申请日期 |
2010.11.12 |
申请人 |
艾克塞利斯科技公司 |
发明人 |
阿西木·斯里瓦斯塔瓦;威廉·迪韦尔吉利奥;格伦·吉尔克里斯特 |
分类号 |
H01J37/08(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
吴敬莲 |
主权项 |
一种用于从离子源部件移除残余物的方法,所述离子源部件用于提取离子束,所述方法使用与多个不同的掺杂气体供应器、多个不同的清洁气体供应器、以及等离子室流体连接的流量控制组件,所述方法包括以下步骤:沿着束路径提取第一分子束并在所述离子源部件上同时产生第一残余物,其中通过使用包括第一分子物质的第一掺杂气体来产生所述第一分子束;沿着所述束路径提取第二分子束并在所述离子源部件上同时产生第二残余物,其中通过使用包括第二分子物质的第二掺杂气体来产生所述第二分子束,并且其中所述第二残余物的构成成分不同于所述第一残余物的构成成分;和选择性地产生第一清除等离子和第二清除等离子,以分别帮助从所述离子源部件移除所述第一残余物和所述第二残余物;其中,第一清除等离子包括氟并且第二清除等离子包括氧基。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |