晶体管形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成阱区；在所述衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层及位于栅极氧化层表面的栅极；形成位于所述栅极结构两侧衬底内的源区和漏区；形成所述源区和漏区后，对所述衬底进行第一离子掺杂，以进行阈值电压调节。通过将阈值电压调节的第一离子注入在源/漏区后进行，降低第一离子注入前的热处理工艺对第一离子的扩散影响，使得大部分的第一离子分布于衬底表面附近，降低扩散至衬底内部的第一离子的浓度，减小所述源区/漏区与衬底之间的结电容，减小了结漏电流，提高器件的运行速度，进而提高器件性能。

主权项

一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内形成阱区，形成所述阱区包括：对所述衬底进行第二离子掺杂；对掺杂有第二离子的衬底进行第一热处理，形成阱区；在所述衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层及位于栅极氧化层表面的栅极；形成位于所述栅极结构两侧衬底内的源区和漏区，形成所述源区和漏区包括：对位于栅极结构两侧的衬底进行离子掺杂，并进行第二热处理，形成位于所述栅极结构两侧的源区和漏区；对所述栅极结构两侧的衬底进行第五离子掺杂，并进行第三热处理，形成位于所述栅极结构两侧衬底内的口袋注入区；形成所述源区和漏区且进行所述第一热处理、第二热处理、第三热处理之后，对所述衬底进行第一离子掺杂，以进行阈值电压调节。