| 发明名称 | 低雾度透明导电电极薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种具有金属纳米线的透明导电电极及其制造方法，其中透明导电电极具有的铅笔硬度大于1H，纳米多孔表面的孔径小于25纳米且其表面粗糙度小于50纳米。透明导电电极进一步包括一折射率匹配层，其折射率介于1.1-1.5之间，其厚度位于100纳米至200纳米之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103377756B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201310214517.6 | 申请日期 | 2013.06.01 |
| 申请人 | 苏州诺菲纳米科技有限公司 | 发明人 | 潘克菲 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种低雾度透明导电电极薄膜，包括：基板，其折射率为n_sub；单透明导电层，其包括沉积于基板上部的金属纳米线；及折射率匹配层，其包括折射率为n_in的各向同性层；其中，n_in的值大于1并小于n_sub，且所述低雾度透明导电电极薄膜的硬度大于1H，波长为400‑800纳米之间时光线透光率大于80％，且其表面电阻小于350欧/平方。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-308 | ||