在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬底相垂直的方向生长纳米线；结束纳米线的轴向生长，在纳米线的侧壁上生长单层或者多层量子点。所述方法采用MOCVD设备，直接在六棱柱形的纳米线的侧壁上生长量子点，简化了现有制备方法的繁琐步骤，并且降低了制备成本；同时，所述方法通过在量子点的外面覆盖与纳米线相同材料的薄膜，可以在纳米线的侧壁生长多层量子点，使得到的复合纳异质结构性能更佳，在新一代的纳米光电子器件中具有广泛的应用前景。

主权项

一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：A：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；B：以所述纳米合金颗粒作为催化物，沿与所述衬底相垂直的方向生长纳米线；C：结束所述纳米线的轴向生长，在所述纳米线的侧壁上即所述纳米线侧面的{112}方向生长多层量子点；所述步骤C具体包括以下步骤：S1：在所述纳米线的侧壁上生长一层所述量子点；S2：在所述量子点的外面覆盖一层与所述纳米线的材料相同的薄膜；S3：在所述薄膜的外面生长一层所述量子点；S4：重复执行所述步骤S2～S3，直至所述量子点的层数达到预定值；所述量子点采用InAs晶体或者In_xGa_1‑xAs晶体，其中，0.4≤x≤1。