| 发明名称 | 自对准双重图形的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层进行固化；在所述牺牲光刻胶层的侧壁表面形成第一掩膜图形；去除所述牺牲光刻胶层。由于所述牺牲光刻胶层进行固化后，牺牲光刻胶层的硬度提高，形成第一掩膜图形过程中的第一掩膜材料层产生的应力不会使得牺牲光刻胶层发生形变，使得牺牲光刻胶层的侧壁依然垂直于待刻蚀材料层表面，使得后续形成于所述牺牲光刻胶层侧壁表面的第一掩膜图形的侧壁垂直于待刻蚀材料层表面，最终对待刻蚀材料层进行刻蚀形成的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。 | ||
| 申请公布号 | CN103681234B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201210333005.7 | 申请日期 | 2012.09.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 祖延雷;胡华勇;林益世 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成图形化的牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层进行固化；在所述牺牲光刻胶层的侧壁表面形成第一掩膜图形，形成所述第一掩膜图形的工艺包括：在所述待刻蚀材料层、牺牲光刻胶层表面形成第一掩膜材料层，对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，在所述牺牲光刻胶层侧壁形成第一掩膜图形；去除所述牺牲光刻胶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||