| 发明名称 | 制造晶体光伏电池的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于制造晶体半导体光伏电池的方法,其中所述方法包括在半导体基片的表面上的第一预定的位置处沉积介电层和在半导体基片表面上的第二预定的位置处生长掺杂的外延层,所述第二预定的位置不同于第一预定的位置也不与第一预定的位置重叠。将介电层保持作为光伏电池中的表面钝化层。掺杂的外延层形成光伏电池的发射器区域、背表面场区域或前表面场区域。 | ||
| 申请公布号 | CN105405921A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510546720.2 | 申请日期 | 2015.08.31 |
| 申请人 | IMEC 非营利协会 | 发明人 | M·瑞卡曼帕尤;F·迪林克斯;M·阿莱曼 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈哲锋;郭辉 |
| 主权项 | 一种用于制造晶体半导体光伏电池(100,200)的方法,所述方法包括:在半导体基片(10,30)的表面上的第一预定的位置处沉积介电层(12,34)；和然后，在所述半导体基片(10,30)表面上的第二预定的位置处生长掺杂的外延层(13,33)，该第二预定的位置不同于第一预定的位置也不与第一预定的位置重叠,其中在制造所述光伏电池(100,200)的过程中，所述介电层(12,34)仍然保留在所述半导体基片的所述表面上,以及其中将介电层(12,34)保持作为所述光伏电池(100,200)的表面钝化层。 | ||
| 地址 | 比利时勒芬 | ||