| 发明名称 | 可见光通信用单芯片白光LED及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可见光通信用单芯片白光LED，所述LED包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的上表面；n型半导体层，形成于所述缓冲层的上表面，所述n型半导体层的一侧向下形成有台面，所述台面的深度小于所述n型半导体层的厚度；复合发光区，形成于所述n型半导体层除台面外的上表面；p型半导体层，形成于所述复合发光区的上表面；透明导电层，形成于所述p型半导体层的上表面；p电极和n电极，分别形成于所述透明导电层和n型半导体层的一侧台面上。本发明还提供一种可见光通信用单芯片白光LED的制备方法。根据本发明可以得到一种高光效、高带宽的双波段可见光通信用单芯片白光光源。 | ||
| 申请公布号 | CN105405938A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201511006149.1 | 申请日期 | 2015.12.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨超;赵丽霞;朱石超;刘磊;于治国;王军喜;李晋闽 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种可见光通信用单芯片白光LED，其特征在于，所述LED包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的上表面；n型半导体层，形成于所述缓冲层的上表面，所述n型半导体层的一侧向下形成有台面，所述台面的深度小于所述n型半导体层的厚度；复合发光区，形成于所述n型半导体层除台面外的上表面；p型半导体层，形成于所述复合发光区的上表面；透明导电层，形成于所述p型半导体层的上表面；p电极和n电极，分别形成于所述透明导电层和n型半导体层的一侧台面上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||