| 发明名称 | MoS<sub>2</sub>薄膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及MoS<sub>2</sub>薄膜及其制造方法。本发明提供MoS<sub>2</sub>薄膜和用于通过原子层沉积方法来制造MoS<sub>2</sub>薄膜的方法。特别地，在不使用有毒气体如H<sub>2</sub>S作为硫前驱体的情况下通过原子层沉积方法来制造MoS<sub>2</sub>薄膜。因而，本发明是生态友好的。而且，可以在制造过程期间防止制造设备被损害和污染。另外，可以通过将MoS<sub>2</sub>薄膜的厚度精确调节到原子层的水平来制造MoS<sub>2</sub>薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN105408516A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201380078541.X | 申请日期 | 2013.08.13 |
| 申请人 | 建国大学校产学协力团 | 发明人 | 闵耀燮 |
| 分类号 | C23C16/448(2006.01)I;C23C16/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/448(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人 | 王庆艳;刘继富 |
| 主权项 | 一种MoS<sub>2</sub>薄膜，所述MoS<sub>2</sub>薄膜是由钼前驱体和硫前驱体形成的并且是通过原子层沉积方法生长的。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||