发明名称 |
光电转换装置和成像系统 |
摘要 |
本发明涉及光电转换装置和成像系统。在能够将包含在光电转换单元中的光电转换元件的信号相加的光电转换装置中,每个光电转换元件包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域,第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件之间,以及第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件之间。第二半导体区域的杂质浓度比第三半导体区域的杂质浓度低。 |
申请公布号 |
CN105405858A |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201510726144.X |
申请日期 |
2012.09.26 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
小林昌弘;岸隆史;山下雄一郎 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/232(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
程连贞 |
主权项 |
一种光电转换装置,所述光电转换装置包括:多个光电转换单元,每个光电转换单元包含由一个微透镜会聚的光入射到的多个光电转换元件;其中,所述多个光电转换元件中的每一个包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域,其中,第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻地布置并包含于一个光电转换单元中的光电转换元件的第一半导体区域之间,其中,第二导电类型的第三半导体区域被布置在绝缘体隔离下方并且被布置在各自包含于彼此相邻地布置的不同光电转换单元中的且彼此相邻布置的光电转换元件的第一半导体区域之间,其中,布置在第三半导体区域的相同深度处的第二半导体区域的至少一部分的第二导电类型的杂质浓度比第三半导体区域的第二导电类型的杂质浓度低,以及其中,每个微透镜被设置为关于光电转换单元的平面图与包含于一个像素中的多个第一半导体区域重叠,并且将光会聚在所述多个第一半导体区域上。 |
地址 |
日本东京 |