发明名称 一种用于等离子体处理装置的可调节约束装置
摘要 一种应用于等离子体处理装置的可调节等离子约束装置,其中,所述等离子约束装置设置于所述制程区和排气区之间,所述等离子约束装置包括:电气接地元件;导电元件,所述导电元件位于所述电气接地元件上方,且二者相互电绝缘,所述导电元件设置有若干个排气通道;间隔元件,所述间隔元件设置于所述电气接地元件和所述导电元件之间,其中,所述间隔元件由绝缘材料制成。本发明能够改善等离子体制程区域的不对称性,并进一步改善基片的制程不均一性。
申请公布号 CN103187234B 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201110457216.7 申请日期 2011.12.30
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 吴紫阳;李菁;邱达燕
分类号 H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁
主权项 一种应用于等离子体处理装置的可调节等离子体约束装置,其中,所述等离子体处理装置包括等离子制程区和排气区,所述等离子体约束装置位于所述等离子体处理装置的等离子体制程区和排气区之间,具有多个气体通道使来自制程区的气体流过所述等离子体约束装置进入排气区时被中和,其特征在于:所述等离子体约束装置包括:电气接地元件;导电元件,所述导电元件位于所述电气接地元件上方,且二者相互电绝缘,所述导电元件设置有若干个气体通道;间隔元件,所述间隔元件设置于所述电气接地元件和所述导电元件之间的安装点,所述安装点对应设置在所述等离子制程区内等离子体浓度较高的区域下方;其中,所述间隔元件由绝缘材料制成。
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号