| 发明名称 | 光学记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、ZnO、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和SnO<sub>2</sub>)中的至少一者、PdO、以及PdO<sub>2</sub>的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。 | ||
| 申请公布号 | CN102859596B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201180018935.7 | 申请日期 | 2011.04.06 |
| 申请人 | 索尼公司;株式会社神户制钢所 | 发明人 | 三木刚;宫胁真奈美;田内裕基 |
| 分类号 | G11B7/24038(2013.01)I;G11B7/2578(2013.01)I;G11B7/243(2013.01)I | 主分类号 | G11B7/24038(2013.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种光学记录介质，其包括：基板，两个至四个记录层，其中所述记录层中的至少一者是特定记录层，所述特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的至少一者、PdO、以及PdO<sub>2</sub>的组分，并且其中与所述特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||