发明名称 半导体装置和其制造方法
摘要 明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与闸极电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作通道保护层的氧化物绝缘层,并在形成该氧化物绝缘层时形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将闸极电极层与形成在该闸极电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大,从而可以降低寄生电容。
申请公布号 TW201611300 申请公布日期 2016.03.16
申请号 TW104140310 申请日期 2010.07.29
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;大原宏树;佐佐木俊成;野田耕生;桑原秀明
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种包含多个像素之显示装置,该多个像素之各者包含:在第一基板上的第一导电层;在该第一基板上的第二导电层;在该第一导电层上的第一绝缘层;在该第一绝缘层上的半导体层,该半导体层与该第一导电层重叠,该第一绝缘层介于其间;在该半导体层上的第二绝缘层,该第二绝缘层包括第一接触孔与第二接触孔,其中该第二绝缘层覆盖该半导体层的边缘;在该第二绝缘层上的第三导电层,该第三导电层经由该第一接触孔电性连接至该半导体层;在该第二绝缘层上的第四导电层,该第四导电层经由该第二接触孔电性连接至该半导体层;在该第三导电层与该第四导电层上的第三绝缘层,该第三绝缘层在第三接触孔上;在该第三绝缘层上的像素电极,该像素电极经由该第三接触孔电性连接至该第三导电层与该第四导电层之一者;在该像素电极上的第一配向膜;在该第一配向膜上的液晶层,该液晶层包括液晶;在该液晶层上的第二配向膜;以及在该第二配向膜上的第二基板, 其中,该像素电极与该第二导电层重叠,该第三绝缘层介于其间,其中,电场系产生于该第二导电层与该像素电极之间,其中,该液晶之配向系以该电场控制,其中,该第一导电层系第一布线的一部份,其中,该第三导电层与该第四导电层之另一者系第二布线的一部份,其中,该第一绝缘层与该第二绝缘层系设置于该第一布线与该第二布线之间,以及其中,该半导体层的全部与该第一导电层重叠。
地址 日本