热离子-过驱动穿隧场效应电晶体及其制造与操作方法

摘要

场效应电晶体（FET）包含具有第一堆叠式半导体通道层以及第二堆叠式半导体通道层的奈米薄片堆叠。第一通道层界定穿隧FET的通道区域，且第二通道层界定热离子FET的通道区域。将源极以及汲极区域提供于奈米薄片堆叠的相对侧上，使得第一通道层以及第二通道层在其间延伸。源极区域的邻近第一通道层的第一部分与源极区域的邻近第二通道层的第二部分具有相对的半导体传导类型。亦论述了有关制造以及操作方法。

主权项

一种场效应电晶体（FET），包括： 奈米薄片堆叠，包括第一以及第二堆叠式半导体通道层，所述第一通道层界定穿隧FET的通道区域，且所述第二通道层界定热离子FET的通道区域；以及 源极区域以及汲极区域，在所述奈米薄片堆叠的相对侧上，使得所述第一通道层以及所述第二通道层在所述源极区域以及所述汲极区域之间延伸，其中邻近所述第一通道层的所述源极区域的第一部分与邻近所述第二通道层的所述源极区域的第二部分具有相对的半导体传导类型。