发明名称 半导体制造腔室用浓烟去除装置
摘要 明揭露一种半导体制造腔室用浓烟去除装置,该半导体制造腔室用浓烟去除装置包括:浓烟排出管;浓烟排出管阀;真空泵;以及控制部件;该控制部件开启该浓烟排出管阀而开启该浓烟排出管,同时运转该真空泵而使该浓烟排出管内形成真空,从而使该半导体制造腔室内的浓烟沿着该浓烟排出管流动而向外部排出。根据所揭露的半导体制造腔室用浓烟去除装置,能够迅速、简便并有效地去除半导体制造腔室中的浓烟,据此,需要进入半导体制造腔室内部的操作者无需接触浓烟而安全地进行作业。
申请公布号 TW201611165 申请公布日期 2016.03.16
申请号 TW104129210 申请日期 2015.09.03
申请人 金泰和 发明人 金泰和
分类号 H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 侯德铭
主权项 一种半导体制造腔室用浓烟去除装置,包括:浓烟排出管,为形成半导体制造腔室内的初期真空而与该半导体制造腔室连通,与设有粗阀的旁通管连通而形成从该旁通管延长的形态;浓烟排出管阀,设置在该浓烟排出管上,能够开闭该浓烟排出管;真空泵,连接到该浓烟排出管而能够使该浓烟排出管形成真空;以及控制部件,能够控制该浓烟排出管阀与该真空泵的运转;其中,当需去除该半导体制造腔室内的浓烟时,该控制部件开启该浓烟排出管阀而开启该浓烟排出管的同时,运转该真空泵而使该浓烟排出管内形成真空,使该半导体制造腔室内的浓烟沿着该浓烟排出管流动而向外部排出。
地址 南韩