半导体装置之制造方法

摘要

明的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。在具有氧化物半导体膜的底闸极结构的电晶体的制造制程中，进行由热处理的脱水化或脱氢化处理以及氧掺杂处理。具有经过氧掺杂处理的闸极绝缘膜、受到由热处理的脱水化或脱氢化处理的氧化物半导体膜的电晶体在偏压-热应力试验(BT试验)的前后也可以减小电晶体的阈值电压的变化量，从而可以实现可靠性高的电晶体。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成闸极电极层；在该闸极电极层上形成含有氧化矽的第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上形成含有氧化镓的氧化物膜：对含有氧化镓的该氧化物膜进行氧掺杂处理；在该闸极电极层上形成氧化物半导体膜，其中该第一绝缘膜与含有氧化镓的该氧化物膜置于该氧化物半导体膜与该闸极电极层之间；对该氧化物半导体膜进行热处理；形成与该氧化物半导体膜电连接的源极电极层及汲极电极层；以及在该氧化物半导体膜、该源极电极层及该汲极电极层上，与该氧化物半导体膜接触地形成第二绝缘膜。