发明名称 离子植入装置及离子束的调整方法
摘要 明提供一种离子植入装置及离子束的调整方法,其课题在于在避免离子植入装置的生产率的下降的同时实现能量精度的提高。本发明的离子植入装置的能量分析狭缝(28)构成为可切换标准狭缝开口(110)与高精度狭缝开口(112),前述标准狭缝开口使用于在所给植入条件下进行之植入处理;前述高精度狭缝开口具有比标准狭缝开口(110)高的能量精度,且为调整高频线性加速器的加速参数而使用。加速参数取决于所给植入条件,以便使向高频线性加速器供给之离子的至少一部份加速至目标能量,并且使藉由射束测量部测量之射束电流量与目标射束电流量相当。
申请公布号 TW201611078 申请公布日期 2016.03.16
申请号 TW104124910 申请日期 2015.07.31
申请人 住友重机械离子技术有限公司 发明人 渡辺一浩;高桥裕二;上野勇介
分类号 H01J37/317(2006.01);H05H9/00(2006.01);H05H7/00(2006.01) 主分类号 H01J37/317(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种离子植入装置,其特征为,具备:高频线性加速器,按照加速参数对所供给之离子进行加速;能量分析磁铁,配设于前述高频线性加速器的下游;能量分析狭缝组件,配设于前述能量分析磁铁的下游;射束测量部,在前述能量分析狭缝组件的下游测量射束电流量;及控制器,根据所给植入条件确定前述加速参数,前述加速参数被确定为,使前述所供给之离子的至少一部份加速至目标能量,并且使藉由前述射束测量部测量之射束电流量与目标射束电流量相当,前述能量分析狭缝组件构成为可切换标准狭缝开口与高精度狭缝开口,前述标准狭缝开口使用于在前述所给植入条件下进行之植入处理;前述高精度狭缝开口具有比前述标准狭缝开口高的能量精度,且为调整前述加速参数而使用。
地址 日本