| 发明名称 |
用于线路中段（ＭＯＬ）应用之金属有机钨的形成方法 |
| 摘要 |
提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨之方法。一些实施例中，一种处理基板之方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中该基板包括特征，该特征形成于该基板之介电层的第一表面中；将该基板暴露至电浆，以在该介电层顶上与该特征内形成钨阻障层，该电浆是由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成该钨阻障层期间的该处理腔室之温度低于约摄氏225度；以及于该钨阻障层上沉积钨填充层，以填充该特征至该第一表面。
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| 申请公布号 |
TW201610202 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104110513 |
申请日期 |
2015.03.31 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
吴立其;柳尙澔;大东和也;朴基振;吴凯;汤普森大卫 |
| 分类号 |
C23C16/18(2006.01);C23C16/455(2006.01);C23C16/50(2006.01);H05H1/46(2006.01);C23C16/52(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/18(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种处理基板之方法，包括下述步骤：提供该基板至一处理腔室，其中该基板包括一特征，该特征形成于该基板之一介电层的一第一表面中；将该基板暴露至一电浆，以在该介电层顶上与该特征内形成一钨阻障层，该电浆是由包括一金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成该钨阻障层期间的该处理腔室之一温度低于约摄氏225度；以及于该钨阻障层上沉积一钨填充层，以填充该特征至该第一表面。
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| 地址 |
美国 |
