发明名称 一种比较器
摘要 本发明提供一种比较器,其包括输入级电路、输出级电路和钳位电路。所述输入级电路包括有第一输入端、第二输入端和输出端,在第一输入端的电压等于第二输入端的电压时,所述输出端上的电压发生翻转。所述输出级电路包括有输入端和输出端,该输出级电路的输入端接所述输入级电路的输出端,在所述输入级电路的输出端上的电压发生翻转时,所述输出级电路的输出端上的电压也发生翻转。所述钳位电路连接在所述输入级电路的输出端和所述输出级电路的输出端之间,用于将所述输入级电路的输出端的电压的最低值钳位于第一电压阈值或将所述输入级电路的输出端的电压的最高值钳位于第二电压阈值。这样可以缩短比较器的延迟时间,进而提高比较器的翻转速度。
申请公布号 CN102420594B 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201110419984.3 申请日期 2011.12.15
申请人 无锡中感微电子股份有限公司 发明人 杨喆;王钊
分类号 H03K5/24(2006.01)I 主分类号 H03K5/24(2006.01)I
代理机构 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人 戴薇
主权项 一种比较器,其包括输入级电路和输出级电路,所述输入级电路包括有第一输入端、第二输入端和输出端,在第一输入端的电压等于第二输入端的电压时,所述输出端上的电压发生翻转;所述输出级电路包括有一个输入端和一个输出端,该输出级电路的输入端接所述输入级电路的输出端,在所述输入级电路的输出端上的电压发生翻转时,所述输出级电路的输出端上的电压也发生翻转,其特征在于,其还包括钳位电路,所述钳位电路连接在所述输入级电路的输出端和所述输出级电路的输出端之间,用于将所述输入级电路的输出端的电压的最低值钳位于第一电压阈值,所述钳位电路包括有连接在所述输入级电路的输出端和所述输出级电路的输出端之间的钳位开关,在所述输出级电路的输出端的电压为高电平时,所述钳位开关导通以将所述输入级电路的输出端的电压的最低值钳位于第一电压阈值,在所述输出级电路的输出端的电压为低电平时,所述钳位开关截止,所述输入级电路包括第一电流源、第一PMOS差分晶体管、第二PMOS差分晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管,第一PMOS差分晶体管的源级与第二PMOS差分晶体管的源级相连,所述第一电流源串联在电源和第一PMOS差分晶体管的源级与第二PMOS差分晶体管的源级的连接节点之间,第一PMOS差分晶体管的栅极为所述输入级电路的第一输入端,第二PMOS差分晶体管的栅极为所述输入级电路的第二输入端,第一NMOS晶体管的源级接地,漏极接第一PMOS差分晶体管的漏极,第二NMOS晶体管的源级接地,漏极接第二PMOS差分晶体管的漏极,第一NMOS晶体管的栅极与第二NMOS晶体管的栅极相连,第一NMOS晶体管的栅极与第一NMOS晶体管的漏极相连,第二NMOS晶体管与第二PMOS差分晶体管的中间节点为所述输入级电路的输出端,所述输出级电路包括串联在电源和地之间的第二电流源和第三NMOS晶体管,第三NMOS晶体管的栅极为所述输出级电路的输入端,第二电流源和第三NMOS晶体管的中间节点为所述输出级电路的输出端,所述第一电流源包括串联在电源和第一PMOS差分晶体管的源级与第二PMOS差分晶体管的源级的连接节点之间的第三PMOS晶体管,所述第三PMOS晶体管通过镜像一个基准电流而提供第一镜像电流,所述第二电流源包括串联在电源和第三NMOS晶体管之间的第四PMOS晶体管,所述第四PMOS晶体管通过镜像一个基准电流而提供第二镜像电流,所述钳位开关为第五PMOS晶体管,该第五PMOS晶体管的栅极与第三PMOS晶体管的栅极和第四PMOS晶体管的栅极相连,所述钳位电路还包括有与所述钳位开关串联的钳位电阻,第五PMOS晶体管的源级经过所述钳位电阻与所述输出级电路的输出端相连,第五PMOS晶体管的漏级与所述输入级电路的输出端相连,第五PMOS晶体管的衬底与电源相连。
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