| 发明名称 | 半导体器件及制造接触部的方法 | ||
| 摘要 | 主要提出了一种通过使用源极和漏极中的III-V族半导体中间层来减小N沟道晶体管的接触电阻的方法。在这方面，介绍了一种器件，其包括：N型晶体管，具有源极区域和漏极区域；第一层间电介质层，邻近所述晶体管；沟槽，穿过所述第一层间电介质层至所述源极区域；以及所述沟槽中的导电的源极接触部，所述源极接触部通过III-V族半导体中间层而与所述源极区域分隔开。也公开且要求保护了其它的实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN103299427B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201180063345.6 | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | N·慕克吉;G·杜威;M·拉多萨夫列维奇;R·S·周;M·V·梅茨 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：N型晶体管，其具有源极区域和漏极区域；第一层间电介质层，其邻近所述晶体管；沟槽，其穿过所述第一层间电介质层至所述源极区域；以及所述沟槽中的导电的源极接触部，所述源极接触部通过III‑V族半导体中间层而与所述源极区域分隔开。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||