一种宽禁带功率器件场板的制造方法

摘要

本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜面上制作场板金属。利用本发明，不需要多步干法刻蚀，采用湿法腐蚀的方法，可以防止干法刻蚀过程中对半导体器件表面造成的损伤，且可以形成满足电场均匀分布要求的具有一定倾斜角度的场板斜面。

主权项

一种宽禁带功率器件场板的制造方法，其特征在于，包括：步骤1：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；步骤2：采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；步骤3：采用腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；步骤4：在该具有特定角度的斜面上制作场板金属；其中，步骤3中所述采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，是采用单步湿法腐蚀技术；所述介质钝化层采用的材料是绝缘介质SiO₂，所述单步湿法腐蚀技术采用的腐蚀液为氢氟酸与氟化铵的混合液，所采用的混合液的配比为1/10与1/20之间的比例值；所述湿法腐蚀技术的腐蚀速率介于400A/min到600A/min之间；步骤3中所述具有特定角度的斜面，此斜面与垂直方向的夹角为30度‑60度。