一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法

摘要

本发明利用全息光刻和湿法腐蚀工艺制备出适用于大功率808nm半导体激光器的分布反馈布拉格光栅，涉及半导体器件制造技术领域。其特征在于，利用金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)技术在GaAs基上进行一次外延生长，利用曝光源为325nmHe-Cd激光器的全息曝光系统对已制备好的外延片进行曝光，经历显影、坚膜，最后利用体积配比为HCl:C₂H₆O₂＝3:2的腐蚀液对InGaP光栅层进行腐蚀，获得光栅。其中本发明有益效果是在InGaP光栅层上制备出具有较好形貌的二阶光栅，且其占空比和凹槽深度等参数决定了激光器具有窄线宽和较小的波长漂移度。同时，这种工艺可用于其它波长的大功率化合物半导体激光器，具有广泛的应用价值。

主权项

一种大功率808nm分布反馈半导体激光器中内置光栅的制备方法，其特征在于，利用MOCVD进行一次外延生长，一次外延生长步骤为：（1）在GaAs外延基底片上生长出图1中1所标示的厚度为0.5mm的N‑GaAs（Si掺杂，2.0´10¹⁸ cm^‑3）缓冲层；（2）继续生长图1中2所标示的厚度为0.05mm的 N‑Ga_xAl_1‑xAs（x=0.05~0.55，Si掺杂，~1.0´10¹⁸ cm^‑3）渐变的过渡层；（3）继续生长图1中3所标示的厚度为1.2mm的N‑Al_0.55Ga_0.45As（Si掺杂，1.0´10¹⁸ cm^‑3）下限制层；（4）继续生长图1中4所标示的厚度为0.15mm的非故意掺杂Al_xGa_1‑xAs（x=0.55~0.25）渐变波导层；（5）继续生长图1中5所标示的厚度为5nm的非故意掺杂Al_0.25Ga_0.75As量子阱势垒层；（6）继续生长图1中6所标示的厚度为4nm的非故意掺杂Al_0.07Ga_0.93As量子阱阱层；（7）继续生长图1中7所标示的厚度为5nm的非故意掺杂Al_0.25Ga_0.75As量子阱势垒层；（8）继续生长图1中8所标示的厚度为0.15mm的非故意掺杂Al_xGa_1‑xAs（x=0.25~0.55）渐变波导层；（9）最后生长图1中9所标示的厚度为30nm P‑In_0.4Ga_0.6P光栅层。